在半導(dǎo)體制造的千級(jí)潔凈室里，每一粒微米級(jí)的塵埃都可能成為摧毀芯片的 “隱形殺手”。作為貫穿整個(gè)生產(chǎn)流程的關(guān)鍵設(shè)備，半導(dǎo)體制造用過(guò)濾器的性能直接決定著產(chǎn)品良率與可靠性。深圳恒歌推出的金屬濾材氣體過(guò)濾器，以覆蓋光刻、刻蝕、沉積等全制程的防護(hù)能力，成為芯片制造過(guò)程中不可或缺的品質(zhì)守護(hù)者。

光刻環(huán)節(jié)對(duì)氣體純度的要求最為嚴(yán)苛，哪怕是 0.01 微米的顆粒附著在光刻膠表面，都會(huì)導(dǎo)致曝光圖案失真。恒歌為光刻氣定制的過(guò)濾器采用納米級(jí)攔截技術(shù)，通過(guò) 12 層不銹鋼纖維膜的梯度過(guò)濾，可將 ArF 光刻氣中的雜質(zhì)顆粒控制在 0.003 微米以下，出口氣體各雜質(zhì)含量嚴(yán)格限制在 5ppb 以內(nèi)。某先進(jìn)制程晶圓廠的應(yīng)用數(shù)據(jù)顯示，使用恒歌過(guò)濾器后，其光刻工序的缺陷率降低 70%，掩模版的使用壽命延長(zhǎng)至原來(lái)的 3 倍。

刻蝕工藝中，腐蝕性氣體在高頻等離子體作用下形成的活性基團(tuán)，對(duì)過(guò)濾器的材質(zhì)提出了極致挑戰(zhàn)。恒歌半導(dǎo)體制造用過(guò)濾器采用整體 316L 不銹鋼結(jié)構(gòu)，從濾殼到密封面均無(wú)任何非金屬材料，可耐受三氟化氯、氟化氫等強(qiáng)腐蝕性氣體的長(zhǎng)期侵蝕。在 13.56MHz 的等離子體環(huán)境中，其過(guò)濾效率的衰減率控制在 3% 以內(nèi)，解決了傳統(tǒng)過(guò)濾器因材料腐蝕導(dǎo)致的性能驟降問(wèn)題，使刻蝕均勻性提升至 90% 以上。

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薄膜沉積工序要求氣體流量的穩(wěn)定性達(dá)到 ±1%，否則會(huì)造成薄膜厚度偏差。恒歌通過(guò)優(yōu)化濾芯的流體力學(xué)設(shè)計(jì)，在保證 99.999% 過(guò)濾效率的同時(shí)，將流量波動(dòng)控制在 ±0.5%。在原子層沉積(ALD)工藝中，這種穩(wěn)定性能確保每一層原子的精確堆疊，使薄膜的厚度均勻性達(dá)到 99%。某 MEMS 傳感器廠商使用恒歌過(guò)濾器后，其薄膜的應(yīng)力偏差從 50MPa 降至 10MPa 以下，產(chǎn)品的可靠性測(cè)試通過(guò)率提升 25%。

離子注入過(guò)程中的高溫高壓環(huán)境(溫度 200℃，壓力 5MPa)是過(guò)濾器的 “試金石”。恒歌過(guò)濾器的不銹鋼濾芯經(jīng)過(guò)特殊的高溫時(shí)效處理，在極端條件下的結(jié)構(gòu)變形量小于 0.01mm，通過(guò) 10000 小時(shí)的連續(xù)運(yùn)行測(cè)試無(wú)泄漏。其內(nèi)置的壓力補(bǔ)償裝置可自動(dòng)調(diào)節(jié)流量，確保注入劑量的偏差不超過(guò) 1%，有效提升了摻雜濃度的均勻性。

針對(duì)半導(dǎo)體制造中不同階段的氣體特性，恒歌提供差異化的過(guò)濾解決方案。在大宗氣體輸送環(huán)節(jié)，配置高通量的兩閥過(guò)濾器滿足大流量需求;在特種氣體鋼瓶出口，采用緊湊型三閥過(guò)濾器實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制;在工藝腔室入口，則通過(guò)四閥過(guò)濾器實(shí)現(xiàn)在線切換與再生。這種全場(chǎng)景覆蓋能力，使恒歌成為唯一能提供從氣源到腔室完整過(guò)濾方案的供應(yīng)商。